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第一部分 半导体材料1

1．多晶硅的生产方法1

2．四氯化硅和三氯氢硅氢还原法比较2

3．四氯化硅的性质2

4．三氯氢硅的物理化学性质5

5．硅烷的性质7

6．半导体材料的一些重要物理性质8

7．某些三、五族化合物的重要生长条件和外延膜特性13

第二部分 金属、合金及化学试剂14

1．最主要半导体材料的腐蚀剂14

2．锗、硅、砷化镓常用的合金材料20

3．常用合金品种及其化学成分21

4．高纯金属纯度的表示方法24

5．常用金属与合金的物理性质25

6．常用金属与合金的腐蚀剂28

7．常用酸碱的性质29

8．常用有机溶剂的性质30

9．几种典型的光致抗蚀剂及其性能31

10．制版、光刻工艺中常用的试剂32

11．电镀液常用的试剂35

第三部分 晶体管及结特性的基本公式39

第四部分 高频大功率晶体管设计考虑41

1．高频大功率晶体管设计程序41

2．高频大功率晶体管各种设计图形所对的工艺参数要求41

3．高频大功率晶体管的设计考虑43

4．高频大功率晶体管图形设计标准43

5．晶体管参数相互关系44

第五部分 晶体管基本特性（参考）45

第六部分 晶体管参数及其他符号说明48

第七部分 氧化、硼、磷、砷、锑、金扩散及离子注入49

1．氧化49

2．硅中的杂质扩散62

3．硼扩散67

4．磷扩散73

5．砷扩散77

6．锑扩散80

7．金在硅中的扩散83

8．离子注入86

9．方块电阻的测量89

10．结深的测量91

11．电子和空穴在硅中的特性93

12．硅的杂质扩散分布曲线96

13．p—n结的一些特性110

第八部分 晶体管及集成电路测试原理116

1．晶体管参数测试116

2．场效应晶体管（MOS）的参数测试122

3．集成电路的测试125

第九部分 各国半导体器件型号命名方法135

1．国产半导体器件型号命名法135

2．日本137

3．美国137

4．英国138

5．法国139

6．西德139

7．西欧（英、西德、荷、比等国）联合体系命名法140

8．苏联140

第十部分 各种图表及其他143

1．面积换算表143

2．体积换算表143

3．长度换算表144

4．质量换算表145

5．容量换算表145

6．时间换算表146

7．电流换算表146

8．电压换算表146

9．电容换算表146

10．物理常数表147

11．能量换算因子150

12．各种杂质在硅中的分凝系数150

13．分贝换算表151

14．无线电波段、频率范围分类对照表154

15．常用数学常数表154

16．各种气瓶标志154

17．化学元素周期表155

18．各种金属的蒸发温度156

19．热电偶种类及使用的温度范围156

20．常用器皿的清洁处理156

21．石英玻璃一些主要性能比较157

22．露点温度与含水量对照表158

23．铂—铂（90％）铑（10％）热电偶的温度—毫伏当量表160